بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی در ترانزیستورهای اثر میدانی

پس از کشف نانو لوله های کربنی توسط ایجما و همکارانش بررسی های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانو لوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان که یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه توزیع جریان در ترانزیستورهای اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدان های مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است، انتخاب نانو لوله ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسی