عملکرد فرکانس بالای CNTFETهای گیت مواد هترو (دریچه مواد ناجور) در گیت آندرلپ  

مقاله ترجمه شده انگلیسی به فارسی The High-Frequency Performance of Hetero-MaterialGate CNTFETs with Gate Underlap عنوان فارسی: عملکرد فرکانس بالای CNTFET های گیت مواد هترو (دریچه مواد ناجور) در گیت آندرلپ چکیده برای اولین بار، نوع جدیدی از ترانزیستور اثرمیدان نانولوله کربن (CNTFET)، گیت مواد هترو (ناجور) (HMG) در آندرلپ پیشنهاد و با استفاده از مدل کوانتوم شبیه شده است که بر اساس تابع گرین غیرمتعادل دوبعدی (NFGF) در معادله پواسون می باشد. نتایج شبیه سازی شده نشان می دهند که فرکانس قطع درونی CNTFETهای گیت مواد مجزا (C-CNTFET) به بیش از چند THZ می رسد که 50% بیشتر از FET